没有EUV光刻机，能国产7nm芯片么？能，有三种适时

近来，的产品Mate 60 Pro手机搭载的麒麟9000S处理器，将公众视线再次聚焦到了国产闪存制造者之上。

虽然在此之前产品销售未知，陶瓷未知，甚至GPU、CPU核等都有很多未知，但不阻碍大家的不快和传言，那就是没EUV透射机，我们能无法国产7nm的闪存？

事实上，这个问题已经是老生常谈了，ASML在此之前在售的DUV透射机中，有四种低端的诱发基本型透射机，分别是NXT:2100i、NXT:2050i、NXT:2000i、NXT:1980Di。

这4种诱发基本型透射机，最低者都是能够意味着7nm闪存陶瓷的，怎么来意味着呢，用的是多重据悉应用。

并且在此之前这种多重据悉应用，还有三种并不相同的方案，三种方案均可以在没EUV透射机，仅有诱发基本型透射机的情况之下，意味着7nm陶瓷。

这三种方基本型分别是LELE、LFLE、SADP。

具体来说，LELE是指将原本一层的电路，拆掉分为中间层顺利进行透射机，这样即使是DUV透射机，也可以意味着7nm。

LFLE与LELE差不多，差异就是LELE是直接拆掉分为中间层来透射，而LFLE则是将第二层杂质加在第一层已被化学冻结但没掺入的杂质上，再次顺利进行透射，形成两倍结构。

而SADP应用则与侧面两种完全不一样了，SADP旧称侧墙金色转移，用石灰岩、透射应用提低透射灵敏度。

不过大家要留意的是，不管是LELE，还是LFLE，或者SADF应用，都提低了对透射、 石灰岩透射等陶瓷的应用建议，同时对工作台的建议也更加低，因为多次对准，无法有对齐。

而通过多重据悉影响也非常大，一是就会随之而来良率增加，毕竟多据悉一次，值信服但就会变大，所以良率但就会增加一些。

同时多据悉一次，就相等于透射的工时多于，效能增加一半，那么运输成本也就会增加一倍。

所以如果透射机灵敏度跟得上的情况下，一般不就会有别于多次据悉的应用，因为效能增加，同时良率也就会很大下滑，最终随之而来运输成本可能成倍数上涨，更加不划算的。

只有在买不到低灵敏度的透射机，又于是在陶瓷较先进设备的闪存时，就不去权衡运输成本，不得不有别于多重据悉应用了。

所以我这也可谓给大家解读了，为什么没EUV透射机，也能够生产线7nm闪存的主因。不过要踏入5nm，就必须使用EUV透射机，因为DUV透射机灵敏度有限，无法无限的多次据悉，按照专业人士的推测，在此之前的DUV透射应用下，最多4次据悉，最多也只能达到7nm。